ITC终判LSI专利无效　南科、联电等18家厂商获胜

　　3月23日消息，据台湾媒体报道，台厂所涉专利官司再传佳音，美国国际贸易委员会（ITC）昨日对LSI对南科等半导体厂商提起专利侵权案，终判LSI专利无效，激励DRAM股今日齐步走扬，率先释出消息的南科一度大涨逾4%。

　　南科今日表示，针对LSI（巨积）及Agere（杰尔）向ITC提起对半导体制造及销售厂商，包括南科及其它被告等专利侵权之调查案，ITC于美国时间3月22日做出终判决定，LSI有关半导体制程之美国专利号码5227335为无效专利。

　　LSI于2008年4月向美国联邦地方法院提出侵权告诉，控告南科、联电、力晶、茂德、世界先进和尔必达（Elpida）等18家芯片制造商，侵害芯片制造技术专利。

　　LSI在该案中请求ITC核发禁制令，但行政法官于2009年9月21日即做出LSI该专利无效之初判，ITC最后于昨日做出终判决定，确定LSI专利无效。

　　台厂半导体专利案枚不胜举，不过近年来迭有佳音，2008年第1季时，硅品即成功反制美商Tessera，而Tessera于2007年向美国ITC提起DRAM制造及销售业者包括南科等专利侵权调查案，也在去年12月29日终判其专利未受侵犯。